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Product Description
出版社/著者からの内容紹介 【今号の特集】
『電子材料』5月号では、「次世代半導体製造のための新プロセス技術・新材料」と題した特集を企画いたしました。半導体デバイスの進歩は、微細加工および薄膜技術が支えてきました。90nm以降の半導体デバイスには新材料と新プロセスの導入が不可避であります。わが国半導体産業の復活をかけた、いくつかの組織横断的、国家的なプロジェクトが進んでおり、次世代の半導体プロセスを支える要素技術の開発が主要テーマとなっています。国際学会などでは、次世代デバイスの要素技術――次世代リソグラフィ技術、短チャンネルトランジスタ技術、SOIや歪みSiなどの基板技術、新しいゲート構造、Cu配線インテグレーションなどの新技術――に対応したキープロセスの開発成果が発表されています。
本特集では、半導体次世代キープロセスやその開発成果をまとめ、現状における課題と今後の開発方向を展望いたします。
本特集では、半導体次世代キープロセスやその開発成果をまとめ、現状における課題と今後の開発方向を展望いたします。
出版社/編集部からのコメント
本特集では、次世代半導体製造のための新プロセス技術・新材料を取り上げていますが、最新トピックスとして、「技術の焦点・液浸リソグラフィ技術を展望する」と題した企画も行い、現場技術者の課題にソリューションを提供しています。
液浸リソグラフィとは、投影レンズとウェハの間に液体を満して露光する技術です。初期にはいろいろな液浸方法が提案されましたが、現在はレンズ下の露光部だけに液体を満たすローカルフィル方式が主流です。液浸ではウェハエッジ部の露光や液体中の泡が課題とされていましたが、最近ではその両者ともクリアできています。
半導体デバイスの65nmノード以降のリソグラフィを担う液浸技術は、目覚しい進歩を遂げています。レジストを始めとする材料開発も活発に行われています。この「技術の焦点」では、液浸プロセスの早期実現に向け、要素技術の検討、評価用装置を用いた開発の実際、材料側からの問題を提起とその解決法など、さまざまな角度から液浸リソグラフィ技術を展望しています。
液浸リソグラフィとは、投影レンズとウェハの間に液体を満して露光する技術です。初期にはいろいろな液浸方法が提案されましたが、現在はレンズ下の露光部だけに液体を満たすローカルフィル方式が主流です。液浸ではウェハエッジ部の露光や液体中の泡が課題とされていましたが、最近ではその両者ともクリアできています。
半導体デバイスの65nmノード以降のリソグラフィを担う液浸技術は、目覚しい進歩を遂げています。レジストを始めとする材料開発も活発に行われています。この「技術の焦点」では、液浸プロセスの早期実現に向け、要素技術の検討、評価用装置を用いた開発の実際、材料側からの問題を提起とその解決法など、さまざまな角度から液浸リソグラフィ技術を展望しています。
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