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GaAs電界効果トランジスタの基礎
 
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GaAs電界効果トランジスタの基礎 (単行本)

福田 益美 (著), 平地 康剛 (著)
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登録情報

  • 単行本: 235ページ
  • 出版社: 電子情報通信学会 (1992/02)
  • ISBN-10: 4885521017
  • ISBN-13: 978-4885521010
  • 発売日: 1992/02
  • 商品の寸法: 21.2 x 15 x 2 cm
  • おすすめ度: 5つ星のうち 5.0  レビューをすべて見る (1 カスタマーレビュー)
  • Amazon.co.jp ランキング: 本 - 322,642位 (本のベストセラーを見る)

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5つ星のうち 5.0 高周波半導体技術者には最高の教科書, 2003/8/22
高周波の半導体技術者には非常によい教科書だと思います。l
GaAsとなっていますが、シリコンMOSのRF応用でも原理は同じなので使えます。
高周波MOSFETを考える上で必要なことを非常にわかりやすく解説しています。
高周波は難解な専門書が多い中で、これだけ基本的なことを丁寧に説明している書籍はあまり見かけません。

 他の専門書に取り組む前にまずマスターすべき教科書じゃないかなと思います。
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