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タウア・ニン 最新VLSIの基礎
 
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タウア・ニン 最新VLSIの基礎 (単行本)

Yuan Taur (著), Tak H. Ning (著), 芝原 健太郎 (翻訳)
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商品の説明

Synopsis

This book examines in detail the basic properties and design, including chip integration, of CMOS and bipolar VLSI devices and discusses the various factors that affect their performance. The authors begin with a thorough review of the relevant aspects of semiconductor physics, and proceed to a description of the design of CMOS and bipolar devices. The optimization of these devices for VLSI applications is also covered. The authors highlight the intricate interdependencies and subtle trade-offs between those device parameters, such as power consumption and packing density, that affect circuit performance and manufacturability. They also discuss in detail the scaling, and physical limits to the scaling, of CMOS and bipolar devices. The book contains many exercises, and can be used as a textbook for senior undergraduate or first-year graduate courses on microelectronics or VLSI devices. It will also be a valuable reference volume for practising engineers involved in research and development in the electronics industry. --このテキストは、 ペーパーバック 版に関連付けられています。


出版社/著者からの内容紹介

講義用 CMOSやバイポーラトランジスタの動作を支配するデバイスの基礎を、ディープサブミクロンVLSIデバイスにとって特に重要なデバイスパラメータや性能因子に重点を置き集約する。

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5つ星のうち 5.0 最先端CMOSデバイス, 2004/4/20
この本を読めば最先端CMOSデバイスがどんなものか理解できるだろう。
無駄なく重要な所が書かれており、定性的かつ定量的でありロジックが
すっきりしている。これをベースにナノスケール極限CMOS集積回路を探求してみてはどうだろうか。
Szeの本のいい部分を集めた良書と言える。
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21 人中、18人の方が、「このレビューが参考になった」と投票しています。
5つ星のうち 5.0 半導体デバイスの基礎と最新技術を結ぶ良書, 2002/12/15
pn\MOSoCMOSa...1'§£a¬- ̄§"o-°SiGe"§¬a¨°"-1o'" ""...-1 ̄'- ...1§°"-1§' ̄"\°o ̄"o...1¨... ̄a33 ̄'a...1¬ ̄"§-¬ ̄600\¨a\ MOSaCMOS"μ§£31oSiGeμ§£aa...a2"§'°¨"\ ̄" '...1'§£-¨°!!!¬a'°aa£'¨ ̄§§¨o¬"-"...-1¨£ \a¨
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7 人中、6人の方が、「このレビューが参考になった」と投票しています。
5つ星のうち 5.0 良書, 2003/9/6
まだ、すべてを読みきれていませんが、最新のデバイス物理書籍として購入しました。ポアソン方程式、ボルツマン方程式などデバイスの本で省略されている項目も、詳しく書かれています。

短チャネルデバイス、SOIなど少し前の本には載っていない技術の解説もかなり詳しくされており、それだけでも買う価値があると思います。

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投稿日: 2003/10/7 投稿者: t-tatsumi

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