Would you like to see this page in English? Click here.


または
1-Clickで注文する場合は、サインインをしてください。
こちらからも買えますよ
この商品をお持ちですか? マーケットプレイスに出品する
Matching Properties Of Deep Sub-micron Mos Transistors (Kluwer International Series in Engineering and Computer Science)
 
 

Matching Properties Of Deep Sub-micron Mos Transistors (Kluwer International Series in Engineering and Computer Science) [ハードカバー]

Jeroen A. Croon , Willy M. C. Sansen , Herman E. Maes

価格: ¥ 17,801 通常配送無料 詳細
o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o
通常2~3週間以内に発送します。 在庫状況について
この商品は、Amazon.co.jp が販売、発送します。 ギフトラッピングを利用できます。

キャンペーンおよび追加情報

  • 掲載画像とお届けする商品の表紙が異なる場合があります。ご了承ください。


商品の説明

内容説明

Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors examines this interesting phenomenon. Microscopic fluctuations cause stochastic parameter fluctuations that affect the accuracy of the MOSFET. For analog circuits this determines the trade-off between speed, power, accuracy and yield. Furthermore, due to the down-scaling of device dimensions, transistor mismatch has an increasing impact on digital circuits. The matching properties of MOSFETs are studied at several levels of abstraction: A simple and physics-based model is presented that accurately describes the mismatch in the drain current. The model is illustrated by dimensioning the unit current cell of a current-steering D/A converter. The most commonly used methods to extract the matching properties of a technology are bench-marked with respect to model accuracy, measurement accuracy and speed, and physical contents of the extracted parameters. The physical origins of microscopic fluctuations and how they affect MOSFET operation are investigated. This leads to a refinement of the generally applied 1/area law. In addition, the analysis of simple transistor models highlights the physical mechanisms that dominate the fluctuations in the drain current and transconductance. The impact of process parameters on the matching properties is discussed. The impact of gate line-edge roughness is investigated, which is considered to be one of the roadblocks to the further down-scaling of the MOS transistor. Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors is aimed at device physicists, characterization engineers, technology designers, circuit designers, or anybody else interested in the stochastic properties of the MOSFET.

登録情報


この本のなか見!検索より (詳細はこちら
書き出し
No two transistors are the same. 最初のページを読む
その他の機能
頻出単語一覧
この本のサンプルページを閲覧する
おもて表紙 | 著作権 | 目次 | 抜粋 | 裏表紙
この本の中身を閲覧する:

この商品にタグをつける

 (詳細)
タグは、商品との関連性が非常に強いキーワードまたはラベルのようなものです。
タグにより、すべてのお客様がお気に入りの商品の整理と確認を行うことができます。
※タグは初期設定で公開になっています。詳しくはこちら
 

カスタマーレビュー

Amazon.co.jp にはまだカスタマーレビューはありません
星5つ
星4つ
星3つ
星2つ
星1つ
Amazon.com で最も参考になったカスタマーレビュー (beta)
Amazon.com:  1個のレビュー
5 人中、3人の方が、「このレビューが参考になった」と投票しています。
Give me a 5 star rating... 2005/2/24
By The master cook - (Amazon.com)
形式:ハードカバー
...and next time you visit Eindhoven I'll prepare you a fabulous dinner! groetjes, Jeroen

クチコミ

クチコミは、商品やカテゴリー、トピックについて他のお客様と語り合う場です。お買いものに役立つ情報交換ができます。
この商品のクチコミ一覧
内容・タイトル 返答 最新の投稿
まだクチコミはありません

複数のお客様との意見交換を通じて、お買い物にお役立てください。
新しいクチコミを作成する
タイトル:
最初の投稿:
サインインが必要です
 

クチコミを検索
すべてのクチコミを検索
   


リストマニア

リストを作成

関連商品を探す


同じキーワードの商品を探す


フィードバック


Amazon.co.jpのプライバシー ステートメント Amazon.co.jpの発送情報 Amazon.co.jpでの返品と交換