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Fundamentals of Modern VLSI Devices
 
 

Fundamentals of Modern VLSI Devices [ハードカバー]

Yuan Taur , Tak H. Ning
5つ星のうち 4.8  レビューをすべて見る (4件のカスタマーレビュー)
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商品の説明

Synopsis

This book examines in detail the basic properties and design, including chip integration, of CMOS and bipolar VLSI devices and discusses the various factors that affect their performance. The authors begin with a thorough review of the relevant aspects of semiconductor physics, and proceed to a description of the design of CMOS and bipolar devices. The optimization of these devices for VLSI applications is also covered. The authors highlight the intricate interdependencies and subtle trade-offs between those device parameters, such as power consumption and packing density, that affect circuit performance and manufacturability. They also discuss in detail the scaling, and physical limits to the scaling, of CMOS and bipolar devices. The book contains many exercises, and can be used as a textbook for senior undergraduate or first-year graduate courses on microelectronics or VLSI devices. It will also be a valuable reference volume for practising engineers involved in research and development in the electronics industry. --このテキストは、 ペーパーバック 版に関連付けられています。

出版社/著者からの内容紹介

本書は、最新VLSIデバイスの基礎を扱ったベストセラーの第2版。VLSIの基本的特徴と設計、パフォーマンスに影響を与える要因についての解説がされています。デバイスパラメーターの複雑な相互依存を強調し、デバイススケーリングやCMOS及びバイポーラデバイスの微細化限界についても考察しています。11年ぶりの改定版となる第2版では、新たに2つの章が追加され、SRAM、DRAM、不揮発性メモリアレイ、SOI (シリコン・オン・インシュレーター)技術がカバーされています。章末に新しい練習問題付き。

登録情報

  • ハードカバー: 680ページ
  • 出版社: Cambridge University Press; 2版 (2009/8/6)
  • 言語 英語, 英語, 英語
  • ISBN-10: 0521832942
  • ISBN-13: 978-0521832946
  • 発売日: 2009/8/6
  • 商品の寸法: 24.6 x 17.5 x 3.6 cm
  • おすすめ度: 5つ星のうち 4.8  レビューをすべて見る (4件のカスタマーレビュー)
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5 人中、5人の方が、「このレビューが参考になった」と投票しています。
By t-tatsumi VINE™ メンバー
形式:ペーパーバック
 訳書もあるようですが洋書の方は板が大きくレイアウトがきれいで見やすいす。内容はMOSとバイポーラが半分ずつくらいです。Szeの本はLEDから太陽電池まで多くのデバイスを網羅しているので、MOSやバイポーラだけで十分という方にお勧めです。全体的に基礎的なことは大体網羅されており良書だと思います。しかし、特に解説が詳しいということもありません。そのため理解するには時間がかかりました(擬フェルミポテンシャルや定電界MOSスケーリングなど)。レイアウトがきれいで内容は中級レベル位までを扱っているので今はこれを購入して良かったと思っています(洋書を買う時は中身が見れないので勇気が要ります)。
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8 人中、7人の方が、「このレビューが参考になった」と投票しています。
形式:単行本
この本を読めば最先端CMOSデバイスがどんなものか理解できるだろう。
無駄なく重要な所が書かれており、定性的かつ定量的でありロジックが
すっきりしている。これをベースにナノスケール極限CMOS集積回路を探求してみてはどうだろうか。
Szeの本のいい部分を集めた良書と言える。
このレビューは参考になりましたか?
6 人中、5人の方が、「このレビューが参考になった」と投票しています。
良書 2003/9/6
形式:単行本
まだ、すべてを読みきれていませんが、最新のデバイス物理書籍として購入しました。ポアソン方程式、ボルツマン方程式などデバイスの本で省略されている項目も、詳しく書かれています。

短チャネルデバイス、SOIなど少し前の本には載っていない技術の解説もかなり詳しくされており、それだけでも買う価値があると思います。

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