内容説明
Semiconductor Devices: Physics and Technology, Third Edition is an introduction to the physical principles of modern semiconductor devices and their advanced fabrication technology. It begins with a brief historical review of major devices and key technologies and is then divided into three sections: semiconductor material properties, physics of semiconductor devices and processing technology to fabricate these semiconductor devices.
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内容(「BOOK」データベースより)
本書は、最近の半導体デバイス物理と作製技術のほとんどを網羅した入門書である。デバイス形成の各段階において、評価と作製技術の理論と実際が集積回路に重点をおきつつ述べられている。
内容(「MARC」データベースより)
最近の半導体デバイス物理と作製技術のほとんどを網羅した入門書。デバイス形成の各段階において、評価と作製技術の理論と実際を集積回路に重点をおきつつ詳述。87年刊の第2版。
Book Description
This book is an introduction to the physical principles of modern semiconductor devices and their advanced fabrication technology. It begins with a brief historical review of major devices and key technologies and is then divided into three sections: semiconductor material properties, physics of semiconductor devices and processing technology to fabricate these semiconductor devices.
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The publisher, John Wiley & Sons
A basic introduction to the physical properties of semiconductor devices and fabrication technology, this work presents the theoretical and practical aspects of every step in device fabrication, with an emphasis on integrated circuits. Divided into three parts, it covers the basic properties of semiconductors and processes, emphasizing silicon and gallium arsenide; the physics and characteristics of semiconductor devices, bipolar and unipolar devices, and special microwave and photonic devices; and the latest processing technologies, from crystal growth to lithographic pattern transfer.
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Back Cover Copy
This eagerly-anticipated revision offers more than 50ew or revised material that reflects the multitude of important recent discoveries and advances in device physics and integrated circuit processing.
The book offers a thorough introduction to physical principles of modern semiconductor devices and their fabrication technology. Readers are presented with theoretical and practical aspects of every step in device characterizations and fabrication, with an emphasis on integrated circuits.
The material is divided into three parts:
- the basic properties of semiconductor materials, emphasizing silicon and gallium arsenide
- the physics and characteristics of semiconductor device bipolar, unipolar special microwave and photonic devices
- the latest processing technologies, from crystal growth to lithographic pattern transfer
Each chapter is presented in a logical manner enabling readers to learn all important devices from a single source. Plus, the book covers historical developments of devices and technology in the last 100 years. Readers gain a sound perspective on the past and a foundation for projecting future trends.
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著者について
S. M. Sze is UMC Chair Professor of the National Chiao Tung University and President of the National Nano Device Laboratories, Taiwan, R.O.C. For many years he was a member of the technical staff at Bell Laboratories. Professor Sze is the co-inventor of the nonvolatile semiconductor memory. He has written numerous texts on device physics, including PHYSICS OF SEMICONDUCTOR DEVICES, considered a reference classic. In 1991, he received the IEEE J. J. Ebers award for his "fundamental and pioneering contributions..." He received his PhD in solid-state electronic from Stanford University in 1963.
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著者略歴 (「BOOK著者紹介情報」より)
ジィー,S.M.
現在、台湾National Chiao Tung UniversityのUMC Chair ProfessorでありNational Nano Device Laboratoriesの所長を務めている。長年にわたって、米国ベル研究所の研究員であった。Sze教授は、不揮発性半導体メモリの共同発明者でもある。また、多くの半導体教科書の執筆者としても良く知られており、中でもPHYSICS OF SEMICONDUCTOR DEVICESは古典的な参考書とされている。1991年に半導体デバイスにおける基礎的、パイオニア的貢献によりIEEE J.J.Ebers賞を受賞している。PhDは、固体電子工学に関して1963年スタンフォード大学より受けている
南日 康夫
1956年東京大学工学部応用物理学科卒業。1960年スタンフォード大学研究員。1966年工学博士。1979年筑波大学物質工学系教授。1997年筑波大学名誉教授。現在、財団法人富山県新世紀産業機構(科学技術コーディネータ)
川辺 光央
1961年大阪大学工学部電気工学科卒業。1967年大阪大学基礎工学部助手。1969年工学博士。1975年グラスゴー大学研究員。1978年筑波大学物質工学系助教授。1984年筑波大学物質工学系教授。2002年筑波大学名誉教授。現在、独立行政法人物質・材料研究機構(特別研究員)
長谷川 文夫
1963年東北大学工学部電子工学科卒業。1965年日本電気株式会社中央研究所入社。1973年工学博士。シェフイールド大学研究員。1981年筑波大学物質工学系助教授。1988年筑波大学物質工学系教授。現在、筑波大学物理工学系教授(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
現在、台湾National Chiao Tung UniversityのUMC Chair ProfessorでありNational Nano Device Laboratoriesの所長を務めている。長年にわたって、米国ベル研究所の研究員であった。Sze教授は、不揮発性半導体メモリの共同発明者でもある。また、多くの半導体教科書の執筆者としても良く知られており、中でもPHYSICS OF SEMICONDUCTOR DEVICESは古典的な参考書とされている。1991年に半導体デバイスにおける基礎的、パイオニア的貢献によりIEEE J.J.Ebers賞を受賞している。PhDは、固体電子工学に関して1963年スタンフォード大学より受けている
南日 康夫
1956年東京大学工学部応用物理学科卒業。1960年スタンフォード大学研究員。1966年工学博士。1979年筑波大学物質工学系教授。1997年筑波大学名誉教授。現在、財団法人富山県新世紀産業機構(科学技術コーディネータ)
川辺 光央
1961年大阪大学工学部電気工学科卒業。1967年大阪大学基礎工学部助手。1969年工学博士。1975年グラスゴー大学研究員。1978年筑波大学物質工学系助教授。1984年筑波大学物質工学系教授。2002年筑波大学名誉教授。現在、独立行政法人物質・材料研究機構(特別研究員)
長谷川 文夫
1963年東北大学工学部電子工学科卒業。1965年日本電気株式会社中央研究所入社。1973年工学博士。シェフイールド大学研究員。1981年筑波大学物質工学系助教授。1988年筑波大学物質工学系教授。現在、筑波大学物理工学系教授(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)