半導体デバイス―基礎理論とプロセス技術 [単行本]

100  applied  area  arsenide  atoms  band  base  between  bipolar  called  carrier  cell  channel  chapter  characteristics  charge  circuit  cm  concentration  condition  constant  contact  crystal  current  density  depletion  device  diffusion  diode  distribution  dopant  doping  drain  electron  energy  eq  etching  example  field  fig  figure  film  find  form  function  gaas  gallium  gate  given  growth  high  hole  however  impurity  increases  ion  junction  laser  lattice  layer  length  level  low  mask  material  metal  mosfet  number  oxide  per  power  process  rate  region  results  section  semiconductor  shown  shows  si  silicon  source  state  structure  substrate  surface  system  technology  temperature  therefore  thermal  thickness  time  transistor  two  used  value  voltage  wafer  width