商品の説明
内容紹介
半導体産業はLSIを初めとする半導体デバイスとその応用分野の進歩(開発)とともに目覚ましい発展を遂げて来た。21世紀に向けてさらに速い速度でいろいろと人間の夢を実現して行くことに疑いの余地はない。 半導体デバイスの基板材料であるシリコンも, LSIの高集積化, 高密度化が進むたびに大直径化されるとともに酸素濃度コントロール, Grown in欠陥などの結晶品質, ウェーハ表面付着不純物の低減, 平坦度の向上などの加工品質の向上がなされて来た。 直径でいえば現在は8インチ量産化時代であるが, 次の世代を睨んで12インチの開発試作が行われている。さらに, 次世代用大口径シリコン基板(16インチ)製造の要素技術を開発する目的で今年(1996年)3月に基盤技術研究促進センターと国内シリコンウェーハメーカ7社が株主となってスーパーシリコン研究所を設立し, SSiプロジェクトがスタートした。 直径ばかりでなくデバイスニーズに呼応して, シリコンウェーハ製造・評価の技術の進歩とクリーンルーム, 超純水, 薬品, ガスなどの半導体製造を支える周辺技術のクリーン化などと相俟って, シリコンウェーハ品質も著しく改善されてきたが, まだまだ課題が山積している。 言うまでもなく, 半導体デバイスの歩留り, 品質, 信頼性などに大きく影響を及ぼすシリコンウェーハの品質をより向上させるためには, 半導体シリコン製造方法, シリコンの物性, 評価技術, 装置, 材料などの基礎を良く理解した上で, 種々の課題と取り組む必要がある。 本書はシリコンメーカのみならず, デバイスメーカ, 製造装置, 材料など半導体産業に携わる若手・中堅の研究者, 技術者などに幅広く技術手引書として活用していただける書を目指して編纂した。 これらの観点から本書では第1章から第8章までは出発材料である多結晶シリコンからエピタキシャルウェーハ, 次世代デバイス基板となるであろうSOI基板までの半導体シリコンの製造方法と超LSIに対応するための課題と主要製造技術を詳細に解説した。 また, 第9章, 第10章では検査・評価技術, 第11章ではシリコンウェーハに拘る主要材料のウルトラクリーン化技術について詳細に解説した。 さらに, 第12章ではシリコン関連技術者・研究者に向けたアンケートの分析結果, 第13章ではシリコンに関する基礎定数, 基礎物性, 第14章ではシリコンに関する規格, 測定方法などの全世界の標準を取り纏めた。 執筆に当たっては, 大学の先生方およびデバイスメーカ, シリコンメーカ, 装置メーカ, 関連材料メーカの経験と見識の深い方々に原理, 基礎技術#, 応用技術, 将来技術など様々な角度から詳しく解説していただいた。したがって, 執筆者は100人を越し, 総ページ数も1000頁を越える大著となった。
レビュー
出版社からのコメント
なお、本書の続編的な性格として「最新シリコンデバイスと結晶技術-先端LSIが要求するウェーハ技術の現状-」(2005年刊)では、その後の新しいシリコン技術についてまとめている。
なお、本書の続編的な性格として「最新シリコンデバイスと結晶技術-先端LSIが要求するウェーハ技術の現状-」(2005年刊)では、その後の新しいシリコン技術についてまとめている。
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