商品の説明
内容（「BOOK」データベースより）
本書の目的はプレーナシリコンデバイス、すなわちプレーナ技術によって作られたデバイスの物理と技術の基礎を供することにある。現在、LSI、超;SIさらには超々LSIと発展しつつあるIC技術の成長を可能にした根元は、二つの半導体の内に多くの素子を集積しようとする概念と、シリコンの表面をシリコン酸化膜で覆い、その絶縁膜の上に配線して素子を結ぶ技術があった。後者の技術がプレーナ技術と呼ばれ、1959年にフェアチャイルド社で開発され特許出願されたものである。
内容（「MARC」データベースより）
プレーナシリコンデバイス、すなわちプレーナ技術によって作られたデバイスの物理と技術の基礎を解説した、グローヴ博士の名著の翻訳。この分野を志す人々必読のバイブル。〈ソフトカバー〉
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カスタマーレビュー
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10 人中、8人の方が、｢このレビューが参考になった｣と投票しています。
形式:単行本
みなさんご存じのIntelの会長である、Andy Groveの本です。一見入門書のようでもありますが、欠陥準位の話やSi酸化機構など重要なポイントが述べられいます。
Dr. Groveの学位は化学工学と聞いており、学生時代に半導体を専攻しなかった人にも理解できるように、平易に記述されています。
Dr. Groveの学位は化学工学と聞いており、学生時代に半導体を専攻しなかった人にも理解できるように、平易に記述されています。
5 人中、4人の方が、｢このレビューが参考になった｣と投票しています。
形式:単行本
originalの英語版は、すばらしい本です。私は、10回以上輪講をしました。毎回発見があり、Groveの偉大さを感じました。品格ある名著です。
しかし、翻訳である本書の出来はoriginalを知っているだけに納得できません。
誤訳も複数個所あります。
ぜひoriginalを読まれることをお勧めします。もし初めて半導体デバイスを勉強するのなら、別の本を使うのが良いでしょう。
しかし、翻訳である本書の出来はoriginalを知っているだけに納得できません。
誤訳も複数個所あります。
ぜひoriginalを読まれることをお勧めします。もし初めて半導体デバイスを勉強するのなら、別の本を使うのが良いでしょう。
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