内容紹介
半導体ドライエッチング技術は,半導体デバイスの微細化・高集積化を実現する手段として,リソグラフィ技術と双璧をなすキーテクノロジーです。ドライエッチングに従事するエンジニアは,多くの場合,経験と堪に頼って仕事を進めているのが実情です。本書はこれまでの本とは異なるユニークなアプローチで,ドライエッチング技術の基礎から応用までビギナーに理解できるようまとめてあります。これまでのドライエッチングの書は,ともすると難しいプラズマ理論に重きをおいたもの,あるいは逆にドライエッチング技術のデータの羅列に終始するものが多く見られます。本書は極力数式を使わないで,ビギナーにもドライエッチングのメカニズムが容易に理解できるように執筆しました。また,プロセスから,装置,新技術に至るまで系統的に理解できるよう配慮してあります。さらに,プラズマダメージの章を設け,その全容が理解できるようにしたことも特徴の一つです。本書ではビギナーにドライエッチング技術の原理を容易に理解させるばかりでなく,より実践に近い知識が得られるようにしました。また,ビギナー向けに書かれていますが,ある程度経験を積んだエンジニアがドライエッチング技術の全体像を理解するのにも役立つ書籍です。
著者略歴 (「BOOK著者紹介情報」より)
野尻 一男
1973年群馬大学工学部電子工学科卒業。1975年群馬大学大学院工学研究科修士課程修了。(株)日立製作所入社。半導体事業部にてCVD、デバイスインテグレーション、ドライエッチングの研究開発に従事。特にECRプラズマエッチング、チャージアップダメージに関して先駆的な研究を行った。また技術開発のリーダーとして数々のマネージメントを歴任。2000年ラムリサーチ(株)入社、取締役・CTOに就任し現在に至る。1989年「有磁場マイクロ波プラズマエッチング技術の開発と実用化」で大河内記念賞を受賞(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)